SiC-MOS管- 广东纽航电子科技有限公司

碳化硅（SiC）MOSFET作为一种先进的宽禁带半导体器件，具有耐高压、高温工作能力、低导通电阻与低开关损耗、高频工作能力、优异的热传导性能、快速反向恢复特性及高可靠性，广泛应用于新能源汽车、能源转换、工业与电网、航空航天、高功率密度电源系统等场合。SiC MOSFET凭借材料特性，在效率、功率密度及高温性能上显著优于传统硅器件，尽管成本较高且驱动设计复杂，但其在高压高频场景中的优势使其成为未来电力电子的关键器件。

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第三代半导体

SiC

SiC-MOS管

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碳化硅（SiC）MOSFET作为一种先进的宽禁带半导体器件，具有耐高压、高温工作能力、低导通电阻与低开关损耗、高频工作能力、优异的热传导性能、快速反向恢复特性及高可靠性，广泛应用于新能源汽车、能源转换、工业与电网、航空航天、高功率密度电源系统等场合。SiC MOSFET凭借材料特性，在效率、功率密度及高温性能上显著优于传统硅器件，尽管成本较高且驱动设计复杂，但其在高压高频场景中的优势使其成为未来电力电子的关键器件。

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