IGBT单管的核心特性是它结合了MOSFET和BJT的优点：MOSFET的高输入阻抗（驱动简单）与BJT的低导通压降（大电流下损耗小）。导通后，其饱和压降（VCE(sat)）随电流增大而缓慢增加，但在大电流下仍比MOSFET低。开启快、关断较慢。关断时会产生拖尾电流，导致关断损耗大于开启损耗。因此，工作频率通常低于MOSFET（常见20kHz-50kHz）。有正向（FBSOA）和反向（RBSOA）之分，且受限于芯片结温（典型最大值150-175°C）。设计时需特别注意散热。选择时关注耐压（Vces，通常600V/1200V/1700V）、电流能力（Ic）、饱和压降（VCE(sat)，越小损耗越低）及热阻。
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