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功率半导体第三代半导体模块及组件集成电路半导体晶圆

MOSFET

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中压MOS（100-250V)

高压MOS（500-900V)
VD-MOS SJ-MOS

N+P-MOS(12-300V)
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可控硅

双向可控硅
三象限双向可控硅四象限双向可控硅

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二极管

标准整流二极管
快恢复二极管
高效二极管
超快恢复二极管
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LOW VF 肖特基二极管
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稳压管二极管
光伏二极管
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桥式整流器

标准桥式整流器
快恢复桥式整流器
LOW VF桥式整流器
快恢复+LOW VF桥式整流器
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高雷击桥式整流器
肖特基桥式整流器
三相桥式整流器

三极管

小信号三极管
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数字三极管
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防护器件

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IGBT

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SiC

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GaN

GaN-MOS管

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稳压电路

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三端线性稳压器

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DC-DC

同步整流

4英寸

GPP-STD Die
GPP-FRD Die
GPP-HRD Die
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5英寸

GPP-STD Die
GPP-FRD Die
GPP-HRD Die
GPP-SFD Die
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专利号：ZL 2023 2 2974645.2 专利名称：网格式框架场效应管

来源：广东纽航电子科技有限公司时间：2024-09-13 17:51:11

专利号：ZL 2023 2 2974645.2 专利名称：网格式框架场效应管

上一个：专利号：ZL 2023 2 3301955.4 专利名称：焊接式双台面大功率内绝缘可控硅

下一个：专利号：ZL 2023 2 2974639.7 专利名称：芯片N面开沟大功率共阳逆变二极管

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