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功率半导体第三代半导体模块及组件集成电路半导体晶圆

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可控硅

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三象限双向可控硅四象限双向可控硅

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LOW VF桥式整流器
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肖特基桥式整流器
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三极管

小信号三极管
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IGBT

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稳压电路

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4英寸

GPP-STD Die
GPP-FRD Die
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5英寸

GPP-STD Die
GPP-FRD Die
GPP-HRD Die
GPP-SFD Die
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专利号：ZL 2023 2 2974639.7 专利名称：芯片N面开沟大功率共阳逆变二极管

来源：广东纽航电子科技有限公司时间：2024-09-13 17:51:26

专利号：ZL 2023 2 2974639.7 专利名称：芯片N面开沟大功率共阳逆变二极管

上一个：专利号：ZL 2023 2 2974645.2 专利名称：网格式框架场效应管

下一个：专利号：ZL 2019 2 0979340.1 专利名称：一种便于焊接的桥式整流器

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